Электронные свойства дислокаций в полупроводниках Осипьян Ю.А. (Ред.) 9785836000684

Варианты приобретения

Цена: 10600.00 T
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ

Добавить в корзину

в Мои желания

Автор: Осипьян Ю.А. (Ред.)
Название: Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
Издательство: УРСС
Классификация: Техническая литература
ISBN: 5836000689
ISBN-13(EAN): 9785836000684
Обложка: Твердый переплет
Страницы: 320
Вес: 0.42 кг.
Дата издания: 2000
Рейтинг:
Описание: Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю.А. Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Дополнительное описание: